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图十一、跑赢电刺激的异源突触器件（a）WO3-x和WSe2/石墨烯垂直结构的异源突触器件的示意图。总之，全国本文对2D突触器件的设计和制备及其在神经形态计算中的应用提供了深刻见解。（2）为实现基于2D忆阻器或突触晶体管的硬件神经网络（HNNs），后工需要获取质量高和均一性好的2D材料，后工并以此构造突触器件阵列，同时还需要解决2D器件制造工艺与半导体加工技术的兼容性等问题。

（g）在不同偏置条件下，持续突触权重变化随Vg的函数。山东数据（b）归一化兴奋性突触后膜电流（EPSC）或抑制性突触后膜电流（IPSC）随施加的不同波长的光学脉冲数量的变化。

图八、月业服优势基于浮栅FET和铁电FET的突触晶体管（a）MoS2/h-BN/石墨烯浮栅器件的示意图。

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